Die auf diesem Server gestellten Polnischen Normen sind uhrheberrechtlich geschützt.
Die Dateien dürfen nicht kopiert, völlig gedruckt oder in irgendwelcher Form zugänglich gemacht werden.
Die Nummer der Norme | Der Titel der Norme |
PN_EN_60204_33_2011_U | Bezpieczeństwo maszyn -- Wyposażenie elektryczne maszyn -- Część 33: Wymagania dotyczące wyposażenia do wytwarzania półprzewodników |
PN_EN_62384_2007_A1_2009_U | Elektroniczne urządzenia sterujące zasilane prądem stałym lub przemiennym do modułów LED -- Wymagania funkcjonalne |
PN_EN_61643_321_2003_U | Elementy do niskonapięciowych urządzeń ograniczających przepięcia -- Część 321: Wymagania dla diod lawinowych (ABD) |
PN_EN_120003_2002_U | Fototranzystory, fototranzystory w układzie Darlingtona, matryce fototranzystorów -Ramowa norma szczegółowa |
PN_EN_62258_2_2005_U | Matryce półprzewodnikowe -- Część 2: Zamiana formatów danych |
PN-EN_62031_2010_A1_2013-06P_KOLOR | Moduły LED do ogólnych celów oświetleniowych Wymagania bezpieczeństwa |
pn-en_62031_2010_a2_2015-04e | Moduły LED do ogólnych celów oświetleniowych Wymagania bezpieczeństwa |
PN_EN_62031_2010 | Moduły LED do ogólnych celów oświetleniowych Wymagania bezpieczeństwa |
PN_EN_60191_1_2007_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 1: Ogólne zasady opracowywania rysunków obudów przyrządów dyskretnych |
PN_EN_60191_3_2002_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 3: Ogólne zasady opracowywania zarysów i wymiarów obudów układów scalonych |
PN_EN_60191_6_10_2004_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-10: Ogólne zasady opracowywania gabarytów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Wymiary P-VSON |
PN_EN_60191_6_12_2012_U_KOLOR | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-12: Ogólne zasady opracowywania gabarytów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania obudów do matryc płaskich wyprowadzeń podwyższonych |
PN_EN_60191_6_12_2003_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-12: Ogólne zasady opracowywania gabarytów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania obudów do matryc połączeń wyspowy |
PN_EN_60191_6_13_2008_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-13: Wytyczne do projektowania gniazd wtykowych typu otwartego dla obudów z matrycą wyprowadzeń sferycznych z małym rastrem oraz z matrycą płaskich wyprowadzeń wyprowadzeÅ |
PN_EN_60191_6_16_2007_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-16: Nazewnictwo podstawek do badań i testów typu burn-in przyrządów testów przyrządów półprzewodnikowych w obudowach BGA, LGA, FBGA i FLGA |
PN_EN_60191_6_17_2011_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-17: Ogólne zasady przygotowania rysunków zarysów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania piętrowych obudów matrycowy |
PN_EN_60191_6_18_2010_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-18: Ogólne zasady przygotowania rysunków zarysów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Wytyczne konstrukcyjne dla obudów BGA |
PN_EN_60191_6_19_2010_U_KOLOR | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-19: Metody pomiaru odkształceń obudowy w podwyższonej temperaturze i maksymalne dopuszczalne odkształcenia |
PN_EN_60191_6_2_2003_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-2: Ogólne zasady opracowywania gabarytów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania obudów do matryc połączeń wyspowyc |
PN_EN_60191_6_20_2011_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-20: Ogólne zasady przygotowania rysunków zarysów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Metody pomiaru wymiarów małych obudów z wyprowadzen |
PN_EN_60191_6_3_2002_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-3: Ogólne zasady opracowywania zarysów i wymiarów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Metody pomiaru wymiarów obudów płaskich czterostro |
PN_EN_60191_6_4_2004_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-4: Ogólne zasady opracowywania zarysów i wymiarów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania obudów dla matryc połącze |
PN_EN_60191_6_5_2002_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-5: Ogólne zasady opracowywania zarysów i wymiarów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania obudów matryc połączeń s |
PN_EN_60191_6_6_2002_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-6: Ogólne zasady opracowywania zarysów i wymiarów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania obudów matryc połączeń w |
PN_EN_60191_6_8_2002_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6-8: Ogólne zasady opracowywania zarysów i wymiarów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania płaskiej czterostronnej obu |
PN_EN_60191_6_2005_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6: Generalne zasady opracowania projektów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego |
PN_EN_60191_6_2010_U | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych -- Część 6: Ogólne zasady projektowania zarysów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego |
PN-EN_60191-4_2014-06E_KOLOR | Normalizacja mechaniczna przyrządów półprzewodnikowych Część 4: System kodowania i klasyfikacja rodzajów obudów przyrządów półprzewodnikowych |
PN_EN_60191_6_1_2003_U | Normalizacja mechaniczna urządzeń półprzewodnikowych -- Część 6-1: Ogólne zasady opracowywania gabarytów obudów przyrządów półprzewodnikowych do montażu powierzchniowego -- Przewodnik projektowania obudów do połączeń skierowanych ku d |
pn-en_62007-1_2015-10e | Półprzewodnikowe urządzenia optoelektroniczne do zastosowań w systemach światłowodowych Część 1: Szablon wymagań dla podstawowych granicznych wartości dopuszczalnych i charakterystyk |
PN_EN_62415_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania elektromigracji prądu stałego |
PN_EN_60749_15_2011_AC_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 15: Wytrzymałość na temperaturę lutowania przyrządów do montażu przewlekanego |
PN_EN_60749_15_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 15: Wytrzymałość na temperaturę lutowania przyrządów do montażu przewlekanego |
PN_EN_60749_19_2005_A1_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 19: Wytrzymałość struktury na ścinanie |
PN_EN_60749_20_1_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 20- 1: Manipulowanie, pakowanie, znakowanie i transport przyrządów do montażu powierzchniowego, wrażliwych na łączne działanie wilgoci i ciepła lutowania |
PN_EN_60749_20_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 20: Wytrzymałość przyrządów do montażu powierzchniowego, hermetyzowanych tworzywem sztucznym, na łączne działanie wilgoci i ciepła lutowania |
PN_EN_60749_21_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 21: Lutowność |
PN_EN_60749_23_2006_A1_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 23: Badanie trwałości w wysokiej temperaturze |
PN_EN_60749_29_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 29: Badanie stanu zatrzaśnięcia |
PN_EN_60749_30_2007_A1_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 30: Wstępne narażanie niehermetycznych przyrządów przeznaczonych do montażu powierzchniowego przed badaniami nieuszkadzalności |
PN_EN_60749_32_2005_A1_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 32: Palność przyrządów w obudowach z tworzyw sztucznych (zapalenie z zewnątrz) |
PN_EN_60749_34_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 34: Cykle mocy |
PN_EN_60749_37_2008_U_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 37: Metoda badawcza zrzucania podzespołów zamontowanych na płytkach drukowanych z wykorzystaniem przyspieszeniomierza |
PN_EN_60749_38_2008_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 38: Metoda badania uszkodzeń parametrycznych w przyrządach półprzewodnikowych z przyrządach pamięcią |
PN_EN_60749_40_2012_U_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 40: Metoda badawcza zrzucania podzespołów zamontowanych na płytkach drukowanych z wykorzystaniem czujnika tensometrycznego |
PN_EN_60749_7_2012_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badania mechaniczne i klimatyczne -- Część 7: Pomiar zawartości wilgoci wewnętrznej i analiza innych gazów resztkowych |
PN_EN_62416_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badanie gorących nośników w tranzystorach MOS |
PN_EN_62417_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badanie jonów mobilnych w tranzystorach MOSFET |
PN_EN_62374_2007_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Badanie zależnego od czasu przebicia dielektryka (TDDB) w warstwach dielektryka bramki |
PN_EN_62374_1_2011_AC_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Część 1: Badanie zależnego od czasu przebicia dielektryka (TDDB) w warstwach międzymetalicznych |
PN_EN_62374_1_2011_U_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe -- Część 1: Badanie zależnego od czasu przebicia dielektryka (TDDB) w warstwach międzymetalicznych |
PN_EN_60747_16_1_2003_A1_2007_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Część 16-1: Mikrofalowe układy scalone -Wzmacniacze |
PN_EN_60747_16_1_2003_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Część 16-1: Mikrofalowe układy scalone -Wzmacniacze |
PN_EN_60747_16_10_2005_U_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe -- Część 16-10: Harmonogram zatwierdzania technologii monolitycznych mikrofalowych układów scalonych |
PN_EN_60747_16_3_2003_A1_2009_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Część 16-3: Mikrofalowe układy scalone -Przemienniki częstotliwości |
PN_EN_60747_16_3_2003_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Część 16-3: Mikrofalowe układy scalone -Przemienniki częstotliwości |
PN_EN_60747_15_2012_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy dyskretne -- Część 15: Izolowane przyrządy półprzewodnikowe mocy |
PN_EN_60747_5_5_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy dyskretne -- Część 5-5: Przyrządy optoelektroniczne -- Transoptory |
PN_EN_62047_10_2012_U_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 10: Badanie materiałów MEMS na ściskanie za pomocą mikrokolumn |
PN_EN_62047_12_2012_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 12: Metoda badania zmęczenia na zginanie materiałów cienkowarstwowych z zastosowaniem rezonansowych wibracji struktur MEMS |
PN_EN_62047_13_2012_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 13: Metody badania i mierzenia adhezyjnej wytrzymałości na zginanie i ścinanie struktur MEMS |
PN_EN_62047_14_2012_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 14: Metoda pomiaru granicy formowania metalicznych materiałów cienkowarstwowych |
PN_EN_62047_2_2006_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 2: Metoda badania materiałów cienkowarstwowych na rozciąganie |
PN_EN_62047_3_2006_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 3: Znormalizowana próbka materiału cienkowarstwowego do badań na rozciąganie rozciąganie |
PN_EN_62047_4_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 4: Normy wspólne dotyczące przyrządów MEMS |
PN_EN_62047_5_2012_U_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 5: Przełączniki RF MEMS |
PN_EN_62047_6_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 6: Metody badania zmęczenia osiowego w materiałach cienkowarstwowych |
PN_EN_62047_7_2012_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 7: Filtry MEMS BAW i dupleksery do selekcji i sterowania częstotliwości radiowych |
PN_EN_62047_8_2011_U_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 8: Metoda badania na zginanie dla określenia właściwości pomiarowych cienkich warstw |
PN_EN_62047_9_2012_U_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe -- Przyrządy mikroelektromechaniczne -- Część 9: Pomiary wytrzymałości łączenia ze sobą płytek w przyrządach MEMS |
PN_EN_62418_2010_U | Przyrządy półprzewodnikowe -- Test wymuszania ubytków metalizacji |
pn-en_60749-26_2014-11e_kolor | Przyrządy półprzewodnikowe Badania mechaniczne i klimatyczne Część 26: Badanie wrażliwości na wyładowania elektrostatyczne (ESD) Model ciała ludzkiego (HBM) |
pn-en_60749-42_2014-12e_kolor | Przyrządy półprzewodnikowe Badania mechaniczne i klimatyczne Część 42: Temperatura i wilgotność przechowywania |
PN-EN_60747-16-5_2014-01E | Przyrządy półprzewodnikowe Część 16-5: Mikrofalowe układy scalone Generatory |
PN_EN_60747_16_4_2005_A1_2011_U | Przyrządy półprzewodnikowe dyskretne -- Część 16-4: Układy scalone mikrofalowe -Przełączniki |
PN_EN_60747_16_4_2005_U | Przyrządy półprzewodnikowe dyskretne -- Część 16-4: Układy scalone mikrofalowe -Przełączniki |
pn-en_60747-5-5_2011_a1_2015-10e | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy dyskretne Część 5-5: Przyrządy optoelektroniczne Transoptory |
PN-EN_62047-11_2014-02E_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 11: Metoda badania liniowych współczynników rozszerzalności cieplnej wolnostojących materiałów dla systemów mikroelektromechanicznych |
pn-en_62047-15_2015-10e_kolor | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 15: Metoda badania wytrzymałości wiązania między PDMS i szkłem |
pn-en_62047-16_2015-10e_kolor | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 16: Metody badań dla określania naprężeń szczątkowych cienkich folii MEMS Metody krzywizny opłatka i ugięcia belki wspornika |
pn-en_62047-17_2015-10e_kolor | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 17: Metoda badania wybrzuszenia dla mierzenia własności mechanicznych cienkich folii |
PN-EN_62047-18_2014-02E | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 18: Metody badania na zginanie materiałów cienkowarstwowych |
PN-EN_62047-19_2014-02E_KOLOR | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 19: Kompasy elektroniczne |
pn-en_62047-21_2014-11e_kolor | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 21: Metoda badania współczynnika Poissona materiałów cienkich folii MEMS |
pn-en_62047-22_2014-11e_kolor | Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 22: Metoda badania rozciągliwości elektromechanicznej dla przewodzących cienkich folii na elastycznych podłożach |
PKN_CLC_TR_62258_3_2007_U_KOLOR | Semiconductor die products -- Part 3: Recommendations for good practice in handling, packing and storage |
PN_EN_61954_2011_U | Statyczne kompensatory mocy biernej (SVC) -- Badanie zaworów tyrystorowych |
PN-EN_61954_2011_A1_2014-02E | Statyczne kompensatory mocy biernej (SVC) Badanie zaworów tyrystorowych |
PN_EN_62258_1_2011_U | Struktury półprzewodnikowe -- Część 1: Wymagania w zakresie dostaw i użytkowania |
PN_EN_62258_2_2011_U | Struktury półprzewodnikowe -- Część 2: Wymiana formatów danych |
PN_EN_62258_5_2006_U | Struktury półprzewodnikowe -- Część 5: Wymagane informacje dotyczące symulacji elektrycznej |
PN_EN_62258_6_2006_U | Struktury półprzewodnikowe -- Część 6: Wymagane informacje dotyczące symulacji termicznej |
PN_EN_62373_2006_U_KOLOR | Test stabilności tranzystorów polowych metal-tlenek-półprzewodnik (MOSFET) w funkcji polaryzacji i temperatury |
PN_EN_120004_2002_U | Transoptory o określonej temperaturze otoczenia z fototranzystorami na wyjściu -Ramowa norma szczegółowa |
PN_EN_61954_2002_A1_2003_U | Urządzenia energoelektroniczne stosowane w systemach przesyłu i rozdziału energii -- Badania zaworów tyrystorowych stosowanych w statycznych kompensatorach mocy biernej (VAR) |
PN_EN_61954_2002_U | Urządzenia energoelektroniczne stosowane w systemach przesyłu i rozdziału energii -- Badania zaworów tyrystorowych stosowanych w statycznych kompensatorach mocy biernej (VAR) |
pn-en_62047-20_2014-12e_kolor | Wprowadza Zastępuje - Przyrządy półprzewodnikowe Przyrządy mikroelektromechaniczne Część 20: Żyroskopy |
PN_EN_61975_2010_U | Wysokonapięciowe instalacje prądu stałego (HVDC) -- Metody badań |
PN_EN_62341_1_1_2010_U | Wyświetlacze z organicznymi diodami świecącymi -- Część 1-1: Specyfikacja wspólna |
pn-en_60700-1_2016-02e | Zawory tyrystorowe stosowane w liniach przesyłowych wysokiego napięcia prądu stałego Część 1: Badanie elektryczne |
PN_EN_60700_1_2002_A1_2003_U | Zawory tyrystorowe stosowane w liniach transmisyjnych wysokiego napięcia prądu stałego -- Część 1: Badanie elektryczne |
PN_EN_60700_1_2002_U | Zawory tyrystorowe stosowane w liniach transmisyjnych wysokiego napięcia prądu stałego -- Część 1: Badanie elektryczne |